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双极型晶体管的特点

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输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性,可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V,锗管的开启电压约为0.3V。
 
输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时,集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为:
 
双极型晶体管输出特性可分为三个区
 
★截止区:发射结和集电结均为反向偏置。IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关,这个状态相当于断开状态。
 
★饱和区:发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制,管子失去放大作用,UCE@0,IC=EC/RC,把三极管当作一个开关,这时开关处于闭合状态。
 
★放大区:发射结正偏,集电结反偏。
 
放大区的特点是:
 
◆IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。
 
◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大表示管子电流放大系数b越大。
 
◆伏安特性最低的那条线为IB=0,表示基极开路,IC很小,此时的IC就是穿透电流ICEO。
 
◆在放大区电流电压关系为:UCE=EC-ICRC, IC=βIB
 
◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。
 
极间反向电流:是少数载流子漂移运动的结果。
 
集电极-基极反向饱和电流ICBO :是集电结的反向电流。
 
集电极-发射极反向饱和电流ICEO :它是穿透电流。
 
ICEO与CBO的关系:
 
特征频率 :由于晶体管中PN结结电容的存在,晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降,当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。
 
 
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